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InicioProductosTransistores de NPN PNP

NTD12N10T4G -----¿MOSFET del poder 12 amperios, 100 voltios de N? ¿Aumento del canal? Modo DPAK

China de buena calidad microprocesador del circuito integrado en ventas
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NTD12N10T4G -----¿MOSFET del poder 12 amperios, 100 voltios de N? ¿Aumento del canal? Modo DPAK

Ampliación de imagen : NTD12N10T4G -----¿MOSFET del poder 12 amperios, 100 voltios de N? ¿Aumento del canal? Modo DPAK

Datos del producto:

Nombre de la marca:on
Certificación:ROHS COMPLIANT
Número de modelo:NTD12N10T4G

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:50
Precio:Contact for Sample
Detalles de empaquetado:Contacto para la muestra
Tiempo de entrega:dentro de 3días
Condiciones de pago:T/T por adelantado, Paypal, Western Union
Capacidad de la fuente:1000
Descripción detallada del producto

Detalle rápido:

¿MOSFET del poder 12 amperios, 100 voltios de N? ¿Aumento del canal? Modo DPAK

Especificaciones:

Fichas técnicas

NTD12N10

Fotos del producto

TO-263

Notificación del producto

Obsolescencia de producto 08/Apr/2011

Paquete estándar

2.500

Categoría

Productos de semiconductor discretos

Familia

Los FETs - escoja

Serie

-

Empaquetado

Cinta y carrete (TR)

Tipo del FET

Canal N del MOSFET, óxido de metal

Característica del FET

Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss)

100V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25° C

12A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs

165 mOhm @ 6A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @

4V @ 250µA

Bloquee la carga (Qg) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacitancia (Ciss) @ Vds de la entrada

550pF @ 25V

Poder - máximo

1.28W

Tipo del montaje

Soporte superficial

Paquete/caso

TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

Paquete del dispositivo del proveedor

DPAK-3

Otros nombres

NTD12N10T4GOS
NTD12N10T4GOS-ND
NTD12N10T4GOSTR



Ventaja competitiva:

Garantía: ¡180 días!
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Contacto
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Persona de Contactar Ahora: Ms. Mary Sun

Tel:86-755-83690382

Fax:86-755-61624128

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