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MRF9080LR3 - Freescale Semiconductor, Inc - transistores de efecto de campo del poder del RF (MOSFETs del lateral de N−Channel Enhancement−Mode

MRF9080LR3 - Freescale Semiconductor, Inc - transistores de efecto de campo del poder del RF (MOSFETs del lateral de N−Channel Enhancement−Mode

MRF9080LR3 - Freescale Semiconductor, Inc - RF Power Field Effect Transistors(N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs

Datos del producto:

Lugar de origen: Semiconductor de Freescale
Nombre de la marca: MOT
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: MRF9080LR3

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 50
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: Contacto para la muestra
Tiempo de entrega: dentro de 3días
Condiciones de pago: T/T por adelantado, Paypal, Western Union
Capacidad de la fuente: 5000
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Descripción detallada del producto

Detalle rápido:
MRF9080LR3 - Freescale Semiconductor, Inc - transistores de efecto de campo del poder del RF (MOSFETs laterales de N−Channel Enhancement−Mode)

Descripción:

Diseñado para el G/M la banda de frecuencia de 900 megaciclos, la alta ganancia y la banda ancha
el funcionamiento de estos dispositivos les hace el ideal para el large−signal, common−
usos del amplificador de la fuente en el equipo de la estación base de 26 voltios.


Usos:

• Funcionamiento típico para las frecuencias del G/M, 921 a 960 megaciclos, 26 voltios
@ P1db de potencia de salida: 75 vatios
Aumento @ P1db del poder: DB 18,5
Eficacia @ P1db: el 55%
• Q internamente hecho juego, controlado, para la facilidad de empleo
• Alta ganancia, eficacia alta y altas linearidades
• Protección integrada del ESD
• Diseñado para la llanura máxima de la fase del aumento y de la inserción
• Capaz de manejar el 5:1 VSWR, @ 26 VDC, 921 megaciclos, 90 vatios de CW
De potencia de salida
• Estabilidad termal excelente
• Caracterizado con parámetros equivalentes de la impedancia de Large−Signal de la serie
• Disponible con grueso bajo del chapado en oro en las ventajas. L sufijo indica
nominal del ″ 40µ.
• En cinta y carrete. Sufijo R3 = 250 unidades por 56 milímetros, carrete de 13 pulgadas


Especificaciones:

Fichas técnicas

Serie MRF9080

Paquete estándar

250

Categoría

Productos de semiconductor discretos

Familia

FETs del RF

Serie

-

Empaquetado

Cinta y carrete (TR)

Tipo del transistor

LDMOS

Frecuencia

960MHz

Aumento

18.5dB

Voltaje - prueba

26V

Grado actual

10µA

Figura de ruido

-

Actual - prueba

600mA

Poder - salida

75W

Voltaje - clasificado

65V

Paquete/caso

NI-780

Paquete del dispositivo del proveedor

NI-780




Ventaja competitiva:

Garantía: 180days para todas las mercancías
Envío gratis: Orden sobre el triunfo $600 una tarifa gratuita del envío: las mercancías cargan debajo de 3Kg.
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Etiqueta:
MRF9080LSR3

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