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Transistores de poder del RF MRF18060A - Motorola, Inc - TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF

Transistores de poder del RF MRF18060A - Motorola, Inc - TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF

    • RF Power Transistors MRF18060A - Motorola, Inc - RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
    • RF Power Transistors MRF18060A - Motorola, Inc - RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
  • RF Power Transistors MRF18060A - Motorola, Inc - RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

    Datos del producto:

    Lugar de origen: Semiconductor de Freescale
    Nombre de la marca: MOT
    Certificación: Lead free / RoHS Compliant
    Número de modelo: MRF18060A

    Pago y Envío Términos:

    Cantidad de orden mínima: 50
    Precio: Contact for Sample
    Detalles de empaquetado: Contacto para la muestra
    Tiempo de entrega: dentro de 3días
    Condiciones de pago: T/T por adelantado, Paypal, Western Union
    Capacidad de la fuente: 5000
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    Descripción detallada del producto

    Detalle rápido:


    MRF18060A - Motorola, Inc - TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF

     

    Descripción:

     

    Diseñado para usos de la estación base del PCN y del PCS con frecuencias de

    1,8 a 2,0 gigahertz. Conveniente para FM, TDMA, CDMA y el amplificador más multicarrier

    usos. Para ser utilizado en la clase AB para la radio de PCN-PCS/cellular y LO VAYA A HACER

    usos. Especificado para GSM1805 – 1880 megaciclos.

     

     

    Usos:

     

    • Funcionamiento típico del G/M, banda de frecuencia llena (1805 – 1880 megaciclos)

    Aumento del poder — DB 13 (tipo) @ 60 vatios

    Eficacia — el 45% (tipo) @ 60 vatios

    • Q internamente hecho juego, controlado, para la facilidad de empleo

    • Alta ganancia, eficacia alta y altas linearidades

    • Protección integrada del ESD

    • Diseñado para la llanura máxima de la fase del aumento y de la inserción

    • Capaz de manejar el 10:1 VSWR, @ 26 VDC, 60 vatios de CW de potencia de salida

    • Estabilidad termal excelente

    • Disponible en cinta y carrete. Sufijo R3 = 250 unidades por 56 milímetros,

    Carrete de 13 pulgadas.

    • Disponible con grueso bajo del chapado en oro en las ventajas. L sufijo indica

    nominal del ″ 40µ.

     

     

    Especificaciones:

     

    Fichas técnicas

    Serie de MRF18060A

    Paquete estándar

    250

    Categoría

    Productos de semiconductor discretos

    Familia

    FETs del RF

    Serie

    -

    Empaquetado

    Cinta y carrete (TR)

    Tipo del transistor

    LDMOS

    Frecuencia

    1.81GHz

    Aumento

    13dB

    Voltaje - prueba

    26V

    Grado actual

    6µA

    Figura de ruido

    -

    Actual - prueba

    500mA

    Poder - salida

    60W

    Voltaje - clasificado

    65V

    Paquete/caso

    NI-780

    Paquete del dispositivo del proveedor

    NI-780

     

     

    Ventaja competitiva:

     

    Garantía: 180days para todas las mercancías

    Envío gratis: Orden sobre el triunfo $600 una tarifa gratuita del envío: las mercancías cargan debajo de 3Kg.

    La electrónica mega de la fuente almacena los componentes listos para enviar. Para encontrar difícilmente, los circuitos integrados y los semiconductores obsoletos y altamente asignados son todos se pueden encontrar por nosotros.

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    Etiqueta:

    MRF18060A, MRF18060AR3, MRF18060ALSR3, MRF18060ASR3

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