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Transistores IXSN35N120U1 - TOSHIBA de NPN PNP - alto voltaje IGBT con el diodo

Transistores IXSN35N120U1 - TOSHIBA de NPN PNP - alto voltaje IGBT con el diodo

NPN PNP Transistors IXSN35N120U1 - TOSHIBA - High Voltage IGBT with Diode

Datos del producto:

Lugar de origen: FILIPINO
Nombre de la marca: TOSHIBA
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IXSN35N120U1

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 50
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: Contacto para la muestra
Tiempo de entrega: dentro de 3días
Condiciones de pago: T/T por adelantado, Paypal, Western Union
Capacidad de la fuente: 5000
Contactar ahora
Descripción detallada del producto

 

Detalle rápido:

 

Alto voltaje IGBT con el diodo

 

 

Descripción:

 

VCES = 1200 V

IC25 = 70 A

VCE (sentado) = 4 V

 

 

Usos:

 

BLOQUE internacional del paquete estándar del ● mini (ISOTOP) compatible

aislamiento del Aluminio-nitruro del ●

- disipación de poder más elevado

Voltaje 3000 V~ del aislamiento del ●

● VCE bajo (sentado)

- para las pérdidas mínimas de la conducción del en-estado

Diodo rápido de RecoveryEpitaxial del ●

- trr corto e IRM

Capacitancia baja del colector-a-caso del ● (< 50="" pF="">

- reducesd IRF

Inductancia baja del paquete del ● (< 10="" nH="">

- fácil conducir y proteger

 

 

Especificaciones:

 

número de parte.

IXSN35N120U1

Fabricante

TOSHIBA

capacidad de la fuente

10000

datecode

10+

paquete

MÓDULO

observación

acción nueva y original

 

 

Ventaja competitiva:

 

Garantía: ¡180 días!
Envío gratis: Orden sobre el triunfo $1000 una tarifa gratuita del envío
(peso de las mercancías debajo de 3Kg), durante 20130901-20130930.


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