MOSFET 175C VISHAY del canal N 22-V (D-S) SUD50N024-06P 50N024 TO-252

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MOSFET 175C VISHAY del canal N 22-V (D-S) SUD50N024-06P 50N024 TO-252

N-Channel 22-V (D-S) 175C MOSFET VISHAY SUD50N024-06P 50N024 TO-252

Datos del producto:

Lugar de origen:	/
Nombre de la marca:	VISHAY
Certificación:	RoHS Compliant
Número de modelo:	SUD50N024-06P

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	5 piezas
Precio:	Pls Contact sales team
Detalles de empaquetado:	Embalaje estándar
Tiempo de entrega:	día 1
Condiciones de pago:	T/T, Paypal, fideicomiso etc. de Western Union.
Capacidad de la fuente:	1035

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Descripción detallada del producto

No parte:	SUD50N024-06P	Fabricante:	Vishay
Paquete:	TO-252	Descripción:	MOSFET 175C del canal N 22-V (D-S)

VISHAY de MOSFET de canal N 22-V (D S) 175C para 50N024 de SUD50N024 - 06P-252

CARACTERÍSTICAS
MOSFET de la energía TrenchFET
Temperatura de ensambladura de 175 C
PWM, optimizado para alta eficiencia

APLICACIONES
Conversión CC/CC de Buck síncrono
-Escritorio
-Servidor

Tipo FET	MOSFET canal N, de Metal óxido
Característica de FET	Estándar
Dren al voltaje de la fuente (Vdss)	22V
Corriente - continua drenaje (Id) a 25° C	49a (Tc)
RDS en Vgs (Max) en Id	9.5 mOhm a 20A, 10V
Identificación de VGS (TH) (máximo) en	3V a 250ΜA
Puerta carga (Qg) en Vgs	16nC a 4.5V
Capacitancia (CIS) de la entrada a Vds.	1300pF a 10V
Potencia - Max	39.5W
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / caso	A-252-3, DPak (2 cables + Tab), SC-63

RF Power Transistors FLL300IL-3 FUJITSU L-Band Medium & High Power GaAs FET

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Debido a la situación fluctuante de las ventas. las partes siempre están cambiando y la lista de valores no se pueden actualizar con prontitud. Así que por favor consulte la situación común cuando usted investiga.

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