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chip CI de memoria Flash

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K6T4008C1C-DL70 - Semiconductor de Samsung - RAM estática de la energía baja Cmos del pedazo 512Kx8

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FM33256-G - Compañero integrado del procesador del chip CI 3V de memoria Flash con memoria

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China Mega Source Elec.Limited certificaciones
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Comentarios de cliente
Tara es grande, contesta siempre rápidamente y es muy útil en solucionar problemas. Es un placer tratar de ella.

—— Sacoel S.A. Xiaozhu YE

Gracias MEGASOURCE, Anthony es ventas profesionales. Co-trabajo con usted otra vez.

—— Beson de Taiwán

¡Probablemente la mejor compañía que he hecho nunca con China! Las piezas no sólo parecían GRANDES y no fueron enarenadas y no fueron comentadas.

—— Marilyn de los E.E.U.U.

Good Company.

—— ******* de VRG

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chip CI de memoria Flash

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China Chip CI de alta velocidad de memoria Flash de la RAM estática del pedazo de K6R4008C1D-KI10 Samsung 256Kx16 fábrica

Chip CI de alta velocidad de memoria Flash de la RAM estática del pedazo de K6R4008C1D-KI10 Samsung 256Kx16
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K6R4008C1D-KI10 - Semiconductor de Samsung - RAM estática de alta velocidad del pedazo 256Kx16 (funcionamiento 5.0V). Actuado en el anuncio publicitario y Detalle rápido: RAM estática de alta velocidad del ... Leer más
2020-05-21 15:53:12
China IS41LV16100B-60KL- el 1M x (16-MBIT) RAM DINÁMICA 16 CON MODO de PÁGINA de EDO fábrica

IS41LV16100B-60KL- el 1M x (16-MBIT) RAM DINÁMICA 16 CON MODO de PÁGINA de EDO
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IS41LV16100B-60KL - Integrated Silicon Solution, Inc - (16-MBIT) RAM DINÁMICA el 1M x 16 CON MODO de PÁGINA de EDO Detalle rápido: (16-MBIT) RAM DINÁMICA el 1M x 16 CON MODO de PÁGINA de EDO Descripción: El ... Leer más
2020-05-21 15:53:12
China Chip CI GS72108AGP-12 - GSI de memoria Flash - 256K x 8 2Mb SRAM asincrónico fábrica

Chip CI GS72108AGP-12 - GSI de memoria Flash - 256K x 8 2Mb SRAM asincrónico
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Detalle rápido: 256K x 8 2Mb SRAM asincrónico Descripción: El GS72108A es una RAM estática de alta velocidad del Cmos organizada como 262.144 palabras por 8 pedazos. El diseño estático elimina la necesidad de ... Leer más
2020-05-21 15:53:12
China Máxima del chip CI DS1624S- de memoria Flash - termómetro de Digitaces y memoria 8-SOIC fábrica

Máxima del chip CI DS1624S- de memoria Flash - termómetro de Digitaces y memoria 8-SOIC
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Detalle rápido: Termómetro y memoria de Digitaces Descripción: El DS1624 consiste en un termómetro digital y 256 bytes de la memoria E2. El termómetro proporciona 13 lecturas de la temperatura del pedazo que ... Leer más
2020-05-21 15:53:12
China BS62LV1027PCP70- semiconductor de la brillantez - mismo energía baja/voltaje Cmos SRAM fábrica

BS62LV1027PCP70- semiconductor de la brillantez - mismo energía baja/voltaje Cmos SRAM
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Detalle rápido: Mismo energía baja/voltaje Cmos SRAM Descripción: El BS62LV1027 es un alto rendimiento, mismo memoria de acceso aleatorio estática de la energía baja Cmos organizada como 131.072 palabras por 8 ... Leer más
2020-05-21 15:53:12
China AT45DB041D-SU - ATMEL Corporation - 4 megabits 2,5 voltios o 2,7 voltios DataFlash fábrica

AT45DB041D-SU - ATMEL Corporation - 4 megabits 2,5 voltios o 2,7 voltios DataFlash
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Detalle rápido: 4-megabit 2,5 voltios o 2,7 voltios DataFlash Descripción: El AT45DB041D es un 2.5V o un 2.7V, memoria Flash del serial-interfaz adecuada idealmente para una amplia variedad de voz digital, ... Leer más
2020-05-21 15:53:12
China chip CI de memoria Flash fábrica

chip CI de memoria Flash
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Acción obediente de RoHS el 100% ¿La oferta caliente del chip CI de memoria Flash, comprueba por favor si usted necesita ningunos de ellos? Número de parte Cantidad Paquete Código de fecha Marca Número de ... Leer más
2020-05-21 15:53:12
China AT49BV320D-70TU - ATMEL Corporation - 32 megabits (los 2M x 16) memoria Flash de 3 voltios solamente fábrica

AT49BV320D-70TU - ATMEL Corporation - 32 megabits (los 2M x 16) memoria Flash de 3 voltios solamente
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Detalle rápido: (los 2M x 16) 3-volt solamente memoria Flash 32-megabit Descripción: El AT49BV320D (T) es 2,7 voltios memoria Flash de 32 megabits organizada como 2.097.152 palabras de 16 pedazos cada uno. La ... Leer más
2020-05-21 15:53:12
China MT8941BP1- semiconductor inc. - tronco avanzado PLL de Zarlink de T1/CEPT Digitaces fábrica

MT8941BP1- semiconductor inc. - tronco avanzado PLL de Zarlink de T1/CEPT Digitaces
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Detalle rápido: Semiconductor inc. - tronco avanzado PLL de Zarlink de T1/CEPT Digitaces Especificaciones: número de parte. 　 MT8941BP1 Fabricante 　ZARLINK capacidad de la fuente 　900 datecode 　09+ paquete ... Leer más
2020-05-21 15:53:11
China Chip CI MT47H64M16HR-3EIT - tecnología de memoria Flash del micrón - DDR2 SDRAM fábrica

Chip CI MT47H64M16HR-3EIT - tecnología de memoria Flash del micrón - DDR2 SDRAM
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Detalle rápido: Tecnología del micrón - DDR2 SDRAM Especificaciones: Fichas técnicas MT47HxxMxx Fotos del producto MT47H64M16HR-25: H TR Paquete estándar 1 Categoría Circuitos integrados (ICs) Familia Memoria ... Leer más
2020-05-21 15:53:11
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