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chip CI de memoria Flash

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China Mega Source Elec.Limited certificaciones
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Comentarios de cliente
Tara es grande, contesta siempre rápidamente y es muy útil en solucionar problemas. Es un placer tratar de ella.

—— Sacoel S.A. Xiaozhu YE

Gracias MEGASOURCE, Anthony es ventas profesionales. Co-trabajo con usted otra vez.

—— Beson de Taiwán

¡Probablemente la mejor compañía que he hecho nunca con China! Las piezas no sólo parecían GRANDES y no fueron enarenadas y no fueron comentadas.

—— Marilyn de los E.E.U.U.

Good Company.

—— ******* de VRG

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chip CI de memoria Flash

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China Chip CI LH28F128BFHED-PWTLZ8 de memoria Flash fábrica

Chip CI LH28F128BFHED-PWTLZ8 de memoria Flash

Detalle rápido: Especificaciones: número de parte. LH28F128BFHED-PWTLZ8 Fabricante  AGUDO capacidad de la fuente  1000 datecode  04+LEADED paquete  TSOP48 observación acción nueva y original Ventaja competitiva... Leer más
2020-05-21 15:53:11
China Chip CI KM681000ELG-7L de memoria Flash   -----RAM estática de la energía baja Cmos del pedazo 128Kx8 fábrica

Chip CI KM681000ELG-7L de memoria Flash -----RAM estática de la energía baja Cmos del pedazo 128Kx8

Detalle rápido: RAM estática de la energía baja Cmos del pedazo 128Kx8 Especificaciones: número de parte.  KM681000ELG-7L Fabricante  SAMSUNG capacidad de la fuente  550 datecode  12+ paquete COMPENSACIÓN  ... Leer más
2020-05-21 15:53:11
China K6R1016C1D-TC10---- RAM estática de alta velocidad del pedazo 256Kx4 (con OE) Cmos (funcionamiento 5.0V). fábrica

K6R1016C1D-TC10---- RAM estática de alta velocidad del pedazo 256Kx4 (con OE) Cmos (funcionamiento 5.0V).

Detalle rápido: RAM estática de alta velocidad del pedazo 256Kx4 (con OE) Cmos (funcionamiento 5.0V). Especificaciones: número de parte. K6R1016C1D-TC10  Fabricante  Samsung capacidad de la fuente  9388 ... Leer más
2020-05-21 15:53:11
China Chip CI K4T1G164QE-HCF8 de memoria Flash ----1Gb E-dado DDR2 SDRAM fábrica

Chip CI K4T1G164QE-HCF8 de memoria Flash ----1Gb E-dado DDR2 SDRAM

Detalle rápido: 1Gb E-dado DDR2 SDRAM Especificaciones: número de parte.  K4T1G164QE-HCF8 Fabricante  SAMSUNG capacidad de la fuente  500 datecode  09+ paquete FBGA  observación acción nueva y original Ventaja ... Leer más
2020-05-21 15:53:11
China Chip CI K4N56163QG-ZC25 de memoria Flash  --- 256Mbit gDDR2 SDRAM fábrica

Chip CI K4N56163QG-ZC25 de memoria Flash --- 256Mbit gDDR2 SDRAM

Detalle rápido: 256Mbit gDDR2 SDRAM Especificaciones: número de parte.  K4N56163QG-ZC25 Fabricante  SAMSUNG capacidad de la fuente  1120 datecode  06+ paquete BGA  observación acción nueva y original Ventaja ... Leer más
2020-05-21 15:53:11
China K4M513233C-DN75    ------- los 4M x 32Bit x 4 bancos SDRAM móvil en 90FBGA fábrica

K4M513233C-DN75 ------- los 4M x 32Bit x 4 bancos SDRAM móvil en 90FBGA

Detalle rápido: los 4M x 32Bit x 4 bancos SDRAM móvil en 90FBGA Especificaciones: número de parte. K4M513233C-DN75  Fabricante  SAMSUNG capacidad de la fuente  6720 datecode  07+ paquete  BGA observación acción ... Leer más
2020-05-21 15:53:11
China Chip CI JS28F256P30T95A de memoria Flash ----Memoria integrada StrataFlash de Numonyx fábrica

Chip CI JS28F256P30T95A de memoria Flash ----Memoria integrada StrataFlash de Numonyx

Detalle rápido: Memoria integrada StrataFlash de Numonyx Especificaciones: Fichas técnicas Memoria integrada StrataFlash P30 Fotos del producto 56-TSOP Paquete estándar 96 Categoría Circuitos integrados (ICs) ... Leer más
2020-05-21 15:53:11
China IS63LV102412KL----- RAM ESTÁTICA DE ALTA VELOCIDAD 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de 128K x 8 Cmos fábrica

IS63LV102412KL----- RAM ESTÁTICA DE ALTA VELOCIDAD 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de 128K x 8 Cmos

Detalle rápido: RAM ESTÁTICA DE ALTA VELOCIDAD 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de 128K x 8 Cmos Especificaciones: Fichas técnicas IS63LV1024 (L) Fotos del producto 32-SOJ Paquete estándar 800 Categoría Circuitos ... Leer más
2020-05-21 15:53:11
China IS63LV1024-12KL-TR   ---- RAM ESTÁTICA DE ALTA VELOCIDAD 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de 128K x 8 Cmos fábrica

IS63LV1024-12KL-TR ---- RAM ESTÁTICA DE ALTA VELOCIDAD 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de 128K x 8 Cmos

Detalle rápido: RAM ESTÁTICA DE ALTA VELOCIDAD 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de 128K x 8 Cmos Especificaciones: Fichas técnicas IS63LV1024 (L) Fotos del producto 32-SOJ Paquete estándar 800 Categoría Circuitos ... Leer más
2020-05-21 15:53:11
China IS63LV1024-12KL  --- RAM ESTÁTICA DE ALTA VELOCIDAD 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de 128K x 8 Cmos fábrica

IS63LV1024-12KL --- RAM ESTÁTICA DE ALTA VELOCIDAD 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de 128K x 8 Cmos

Detalle rápido: RAM ESTÁTICA DE ALTA VELOCIDAD 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de 128K x 8 Cmos Especificaciones: Fichas técnicas IS63LV1024 (L) Fotos del producto 32-SOJ Paquete estándar 21 Categoría Circuitos ... Leer más
2020-05-21 15:53:11
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